Microwind Dsch Software Free

Features of Microwind & DSCH, Microwind VLSI design flow, Microwind tools. Ajinkya Ghude 2 год. How to make layouts in Microwind software exp. Скачать Система Бесплатно Быстро Последние версии. Лучший каталог программ Free-Software.com.ua. Нажмите «Нравится», чтобы читать Free-Software.com.ua в Facebook. Working manual of DSCH and microwind. CMOS HALF ADDER using Microwind. How to make layouts in Microwind software explained with an example of. Автор: Technical Q Загружено:2016-10-14T15:03:30.000Z. Lesson 1 - Basic Logic Gates.

Перечисленные причины в совокупности приводят к значительному уменьшению дифференциального сопротивления на пологих участках выходных ВАХ. Иными словами, области насыщения выходных ВАХ транзисторов практически исчезают, что приводит, преж- де всего, к деградации передаточных характеристик КМОП-элементов и снижению их поме- хоустойчивости 2. Кроме того, как уже отмечалось выше, уменьшение характеристических размеров МОП-структур до 30 – 15 нм потребует уменьшения толщины подзатворного диэлектрика до 1 нм, при которой без принятия специальных мер туннельный ток будет сравним по величине с основным током транзистора, что, безусловно, недопустимо 1.

Важной остается также проблема уменьшения паразитных емкостей и сопротивле- ний КМОП-элементов с целью увеличения быстродействия и снижения энергопотребления. В настоящее время решению данных проблем посвящено значительное число ис- следований и разработан целый ряд методов, позволяющих преодолеть короткоканальные эф- фекты в КМОП-структурах. Именно благодаря этим методам, ведущим фирмам удалось реа- лизовать КМОП СБИС с проектными нормами 45 нм, а в ближайшей перспективе планирует- ся переход к характеристическим размерам (30 – 15) нм 4, 5. В затворах транзисторов современных КМОП-систем используют два различных металла для n- и p-канальных транзисторов. Эти металлы имеют различные значения работы выхода, что позволяет достаточно точно сбалансировать пороговые напряжения МОП-струк- тур в комплементарных парах 2. Применение металлов в качестве материала для затво- ров предпочтительнее использования легированного поликремния, поскольку позволяет избе- жать диффузии легирующих примесей из затвора в область канала через тонкий диэлектрик 2. Для блокирования туннельного тока через тонкий подзатворный диэлектрик широ- ко используют двухслойную систему из диэлектриков с различной диэлектрической проница- емостью ε.

Поверх тонкого (менее 1 нм) оксида или оксинитрида кремния с малым значением ε = (4 – 7) наносят более толстый (до 5 нм) слой с высоким значением ε = (25 – 30). Согласно теореме Гаусса, различие в значениях диэлектрической проницаемости приводит к неравно- мерному распределению напряженности поля в слоях, что, в конечном итоге, приводит к уменьшению туннельного тока при сохранении достаточно малой (субнанометровой) эффек- тивной толщины составного диэлектрика 2. С целью преодоления короткоканальных эффектов и увеличения токов насыщения транзисторных структур используют сильно легированные сток-истоковые области со слож- ной формой поперечного сечения, имеющие пространственные расширения с глубиной зале- гания соответствующих р-n-переходов до 30 нм. Такие области выполняются с применением высокоточного ионного легирования в сочетании с быстрым термическим отжигом 2. Задачи точного управления пороговыми напряжениями и минимизации токов утечки решаются созданием неоднородного профиля легирования в областях каналов 2.

Одним из эффективных путей повышения быстродействия кремниевых КМОП-струк- тур является использование твердых растворов SiGe на кремниевых подложках 12. При этом, с одной стороны, в определенной степени используется хорошо отработанная кремние- вая технология, а с другой – в напряженных структурах Si/ SiGe удается увеличить параметр кристаллической решетки кремния и за счет этого обеспечить увеличение подвижности но- сителей в 1,5 – 2 раза. Еще более эффективный подход к решению проблем, связанных с уменьшением дли- ны каналов МОП-транзисторов, состоит в реализации структур кремний на изоляторе (КНИ), в которых отсечение объема подложки от области формирования транзисторов слоем диэлек- трика обеспечивает уменьшение эффективной площади р-n-переходов стока и истока и соот- ветствующих емкостей, резко уменьшает паразитные токи через подложку, что в совокупно- сти ведет к увеличению плотности размещения элементов на кристалле и их быстродействия, а также к снижению энергии переключения 2. 44 ЗАКЛЮЧЕНИЕ Перечисленные выше меры, направленные на преодоление короткоканальных эф- фектов в КМОП-элементах современных СБИС, приводят к значительным изменениям в структуре и технологии изготовления интегральных транзисторов, требуют учета влияния квантовых эффектов на функционирование приборов 13. Следует отметить, что, несмотря на предпринимаемые усилия, существует ряд проблем, особенно остро проявляющих себя на уровне кристаллов современных СБИС. Так, например, несмотря на неуклонное снижение энергии переключения КМОП-элементов, плотность мощности достаточно динамично растет, что наглядно демонстрирует график, приведенный на рис. З.1 3.

З.1. Темпы роста плотности мощности КМОП СБИС по данным фирмы Intel 3 В соответствии с приведенными данными, при сохранении существующих тенден- ций в ближайшей перспективе плотность мощности СБИС станет сравнима с плотностью мощности в ядерном реакторе и ракетном двигателе. На рис. З.2 приведена диаграмма активной мощности и мощности, связанной с утечками, в КМОП СБИС по данным фирмы Intel 14. Зависимости активной мощности и мощности, связанной с утечками, в КМОП СБИС по данным фирмы Intel 14 Диаграмма, приведенная на рис. З.2, показывает, что с уменьшением характеристиче- ских размеров элементов менее 90 нм на фоне снижения активной мощности СБИС наблюда- ется увеличение паразитной мощности, связанной с утечками, что приводит к росту суммар- 45 ной мощности. ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Задания к лабораторным работам Лабораторная работа № 1 Изучение структуры и характеристик элементов полупроводниковых интегральных схем 1. Изучение характеристик МОП-транзисторов ( n-МОП и p-МОП) и КМОП-транзисторов.

3. Изучение структуры логического элемента и последовательности технологических опе- раций его изготовления. Задание 1.1.При фиксированных значениях смещений на стоке (транзистор должен работать в крутой области ВАХ) исследовать зависимость тока стока транзистора Id от длины L и ширины W канала. 1.2.Исследовать влияние температуры на выходную ВАХ. Для этого при фиксированном смещении на затворе Ug и неизменном напряжении сток-исток Uds изучить зависимость тока стока Id на участке насыщения от температуры. 1.3. Исследовать влияние температуры на наклон подпороговых ВАХ. Наклон определяется в мВ на декаду. 2. Определить параметры модели МОП-транзистора путем сравнения с экспериментальны- ми данными. Рекомендуемая последовательность подбора параметров: 2.1.Options, Id/Ug – параметром VTO осуществляется подгонка порогового напряжения, па- раметром THETA регулируется наклон кривых, а параметром GAMMA – шаг между ними. 2.2.Options, Id/Ud – с помощью параметров KP и VMAX приближают расчетные ВАХ к экс- периментальным.

2.3.Options, Id(log)/Ug – подгон наклона в подпороговой области ВАХ осуществляется пара- метром NSS. 3.1.Изучить последовательность технологических операций для реализации заданной струк- туры.

3.2. Изучить расположение активных областей и контактов логического элемента, используя его трехмерное отображение и топологический чертеж. Порядок выполнения работы 1. Изучение характеристик МОП-транзисторов (n-МОП и p-МОП) и КМОП-транзи- сторов Рассмотрим выполнение этого задания на примере n-МОП-транзистора. Запустите программу Microwind. Щелкните мышью на значке открыть ( ) и выберите файл /MW2/nMOS.msk, после чего в меню File выберите пункт Save as и сохраните файл под именем pwnMOS.msk в своей директории.

Похожие: Федеральное агентство по образованию Сибирская государственная автомобильно-дорожная академия Биохимия белков и ферментов: учеб метод пособие / С. Романцова; Федеральное агентство по образованию, гоувпо.

Pdf constructor software. Министерство связи и массовых коммуникаций Российской Федерации, Министерство экономического развития Российской Федерации, Федеральное. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный. Рассмотрено и рекомендовано на заседании кафедры 'Информационных систем в искусстве и гуманитарных науках' Рассмотрено и рекомендовано на заседании кафедры 'Информационных систем в искусстве и гуманитарных науках' Горяев, Станислав Санкаевич. Лабораторный практикум по органической химии: учебное пособие / С. Горяев; Федеральное агентство.

Повышение квалификации профессорско-преподавательского состава в 2007 г государственных вузов, находящихся в ведении Федерального. Разместите кнопку на своём сайте: Библиотека.